Чарльз Као (Гао Цицюань), которого многие считают «крёстным отцом индустрии DRAM на Тайване», поставил под сомнение ожидания того, что TSMC выйдет на рынок памяти, заявив, что крупнейший в мире контрактный производитель чипов «не может делать 3D DRAM». Тем не менее, другой эксперт по полупроводникам считает, что TSMC вполне способна разработать новую BEOL-память.
Кроме того, Као предупредил, что китайская CXMT примерно через два года заполнит рынок, хотя он по-прежнему не уверен в жизнеспособности архитектуры ячеек памяти 4F², которую CXMT, по-видимому, с большим энтузиазмом осваивает.
Чарльз Као: Даже если TSMC обладает самыми передовыми возможностями производства пластин в мире, это не означает, что она конкурентоспособна в массовом производстве DRAM
На прошлой неделе мы отмечали растущий ажиотаж вокруг потенциального выхода TSMC на рынок 3D DRAM, который, однако, был быстро развеян контрактным производителем чипов.
Теперь Чарльз Као высказал весьма консервативное мнение, отметив, что технологический процесс, лежащий в основе памяти, совершенно отличается от того, который используется для логических чипов, и что DRAM имеет высокий профессиональный порог, который нельзя преодолеть, просто опираясь на передовые технологии логических процессов.
Као признал, что TSMC занималась некоторыми процессами, связанными с DRAM, в первые годы своей деятельности, но отметил, что компания не развивала свои возможности в этой области. Поэтому Као теперь совершенно однозначно считает, что TSMC «не может делать 3D DRAM».
Конечно, этот недвусмысленный прогноз был опровергнут другим экспертом по полупроводникам, доктором Фредериком Ченом, который считает, что TSMC вполне способна выпустить новую BEOL-память.
Как мы недавно объясняли, в 2025 году TSMC продемонстрировала новую архитектуру памяти, использующую оксидные полупроводники и ячейку, состоящую из одного транзистора и одного конденсатора (1T1C).
Важно отметить, что вместо производства DRAM как совершенно отдельного чипа, TSMC, по-видимому, работает над интеграцией массива памяти в BEOL-слои логического чипа.
Следует отметить, что традиционные кремниевые транзисторы страдают от утечки в режиме ожидания. Однако подход TSMC использует канал из аморфного оксидного полупроводника (AOS), изготовленный с помощью специализированного низкотемпературного процесса, чтобы гарантировать, что деликатные межсоединения не будут повреждены температурами, превышающими 400 градусов Цельсия. Этот канал, предположительно, обеспечивает сверхнизкий ток в выключенном состоянии, что означает, что ячейка практически не имеет утечки через сток, индуцированной затвором (GIDL).
SRAM обычно требует 6 транзисторов на ячейку данных и занимает огромное физическое пространство на кристалле процессора. Однако конфигурация 1T1C от TSMC со структурой «конденсатор над битовой линией» может разместить значительно больше памяти в том же пространстве.
Чарльз Као считает, что китайские производители памяти, такие как CXMT, примерно через два года наводнят рынок
В другом месте Чарльз Као отметил, что CXMT агрессивно расширяет свои производственные мощности, что соответствует недавним сообщениям СМИ, согласно которым китайский гигант DRAM строит ряд новых фабрик с целью достижения общей производственной мощности около 600 000 пластин в месяц.
Као считает, что это предстоящее производство окажет заметное влияние на парадигму спроса и предложения к 2028 году:
«Через два года! Через два года их будет много».
Интересно, что Као считает, что CXMT будет отставать от своих конкурентов в области передовых технологий производства и скептически относится к их переходу на архитектуру ячеек памяти 4F², отмечая, что проблемы с емкостной структурой и утечками этой технологии трудно преодолеть.
Для тех, кто может быть не в курсе, процесс 4F² — это архитектура ячеек памяти следующего поколения, где компоненты одной ячейки памяти (один транзистор и один конденсатор) расположены вертикально, а не горизонтально. Это изменение конструкции уменьшает площадь одной ячейки памяти до идеального квадрата, который измеряется как 4 квадрата минимального размера (4 × F²), и состоит ровно из 2 битовых линий и 2 стробирующих линий.
Следует отметить, что битовые линии и стробирующие линии — это структуры межсоединений, используемые для управления транзисторами в каждой ячейке памяти. Просто изменив структуру на 4F², производители DRAM могут уменьшить площадь ячейки на 30–40 процентов и увеличить плотность ячеек каждого ИС на 30–50 процентов.
TSMC считает спрос на ИИ-чипы «неутолимым»
В другом месте со-операционный директор TSMC Кевин Чжан недавно заявил на форуме Nikkei Global Management Dialogue 2026, что «спрос на наши передовые [самые современные] кремниевые чипы неутолим», добавив:
«[Клиенты] хотят получить любую вычислительную мощность, которую они могут иметь. Это действительно неутолимая среда».
По сути, Чжан говорит, что TSMC испытывает высокий спрос на каждый чип, который она может произвести для обеспечения работы искусственного интеллекта, что хорошо согласуется с тезисом о сохраняющемся спросе на текущее развитие ИИ.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Rohail Saleem
