Разработка NVIDIA кастомной HBM стирает грань между Samsung и TSMC: оба гиганта объединяют усилия для создания «базового кристалла» по 3-нм техпроцессу.

Nvhbm Samsung Tsmc Hbm Nvidia память wccftech.com

NVIDIA стандартизирует производство NVHBM на 3-нм техпроцессе TSMC с участием Samsung, Micron и SK hynix. Получите более высокую пропускную способность памяти и сниженное энергопотребление. Узнайте, как это повлияет на производство HBM.

Samsung традиционно придерживалась подхода «под ключ» при разработке основных и базовых кристаллов HBM, но, согласно последнему отчету, пользовательские NVHBM от NVIDIA требуют более оптимизированного подхода к производству с участием Samsung и TSMC. Обе компании, по-видимому, объединили усилия для разработки базового кристалла на 3-нм техпроцессе с конечной целью создания стандартизированного продукта, требующего меньше этапов проверки качества.

Micron и SK hynix также присоединились к Samsung для достижения той же цели, поскольку NVIDIA стремится обеспечить стабильную производительность, используя единый производственный процесс

Поскольку упоминалось, что графические процессоры Feyman будут оснащены пользовательскими HBM, NVIDIA также пообещала, что собственное решение может обеспечить до 30 процентов большей пропускной способности памяти, чем стандартные HBM4E, при этом потребляя до 15 процентов меньше энергии. Однако для достижения этих преимуществ NVIDIA должна обеспечить стандартизацию среди производителей памяти, поэтому производитель графических процессоров, как сообщается, попросил Samsung, Micron и SK hynix производить базовый кристалл NVHBM на 3-нм техпроцессе TSMC.

Кроме того, основной кристалл должен использовать DRAM-процесс шестого поколения, также известный как 1c. Мотивация объединения всех гигантов памяти для использования единого производственного процесса заключается в обеспечении стабильной производительности готового продукта. Поскольку для базового кристалла будет использоваться только 3-нм процесс TSMC, NVIDIA не придется отдельно проверять образцы каждого поставщика, что сэкономит драгоценное время и ресурсы, избавив от ненужной нагрузки.

Согласно последнему отчету, Samsung принял эту просьбу, что стало первым случаем, когда корейский гигант отказался от подхода «под ключ». Однако компания по-прежнему оценивает свои собственные мощности, на случай если спрос на NVHBM превысит производственные мощности TSMC. Разработка основных и базовых кристаллов стандартных HBM будет по-прежнему осуществляться Samsung, и, учитывая исключительный спрос, который обеспечивает это решение, Samsung не будет возражать против временного альянса с TSMC.

HBM также является спасением для Samsung в сокращении убытков ее литейного производства, поскольку, по более ранним оценкам, убытки корейского гиганта сократились на 41 процент за один год с 6,74 трлн вон (5,1 млрд долларов США) в 2025 году до 3,92 трлн вон (2,95 млрд долларов США) в 2026 году.

Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.

Похожие новости: