Корейский чип-гигант Samsung, вероятно, начнет массовое производство чипов с гибридным соединением к концу десятилетия, сообщают корейские отраслевые источники. Считается, что гибридное соединение, основанное на удалении микровыступов в отдельных слоях DRAM при производстве памяти с высокой пропускной способностью (HBM), является технологией следующего поколения для производства HBM благодаря возможности уменьшить расстояние между слоями и обеспечить превосходную производительность.
По мнению источников, Samsung, вероятно, внедрит гибридное соединение с ИИ-чипами NVIDIA Feynman
GPU NVIDIA Feynman для ИИ должны последовать за чипами Rubin Ultra, и NVIDIA поделилась немалой информацией о них ранее в этом году на конференции GTC. В частности, компания сообщила, что GPU будут использовать 3D-стэкинг, партнером по упаковке выступит Intel, а также они будут опираться на заказную память с высокой пропускной способностью (HBM). Поскольку ожидается, что предшественник Feynman, чипы Rubin Ultra, будет использовать микросхемы памяти HBM4E, последние чипы могут применять HBM5 или заказной вариант, отличающийся от предложений конкурентов.
В соответствии с этими спецификациями недавний отчет также утверждал, что гибридное соединение может начать использоваться с микросхемами памяти HBM4E, а не с более ранними поколениями. Теперь отчет корейской прессы делает аналогичные заявления и указывает, что Samsung считает крупномасштабное производство с гибридным соединением возможным в 2029 и 2030 годах.
Согласно деталям, Samsung находится в процессе приобретения 50 установок для гибридного соединения у голландской компании BE Semiconductor. Поскольку компания хочет внести доработки в оборудование, а BE продает стандартные модели, источники предполагают, что Samsung также заинтересована в закупке таких машин у местных корейских компаний.
Еще более интересно то, что в отчете также обсуждаются заказные чипы HBM. В нем указывается, что заказная HBM заменяет базовый кристалл чипа на логический кристалл заказчика в рамках 3D-архитектуры “система-в-корпусе” (SiP).
Что касается установок для гибридного соединения, источники полагают, что Samsung начнет устанавливать их на своих предприятиях в Пхёнтхэке к концу этого года. Ожидается, что полномасштабное и крупносерийное производство начнется в 2029 и 2030 годах, по данным источников, примерно к тому времени, когда на рынок выйдут чипы NVIDIA Feynman.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Ramish Zafar
