Новости: полупроводники

Мировая выручка «Фаундри 2.0» достигла $86 млрд в I кв. 2026 г., рост на 23% г/г благодаря спросу на ИИ-чипы, сообщает Counterpoint Research. Пока TSMC заполняет фабрики передовыми разработками для ИИ, заказы на зрелые узлы перетекают к игрокам второго эшелона, включая китайские SMIC и Nexchip, которые также выигрывают от.

Президент Ли анонсировал государственно-частный план на 800 трлн вон ($520 млрд) по строительству четырех новых фабрик Samsung и SK Hynix, что в десять раз превышает масштаб CHIPS Act США.

Чипы MCU для оптических модулей становятся критическим сегментом полупроводников: строительство ИИ-ЦОД стимулирует спрос на 800G/1.6T, а отечественные игроки GigaDevice и Nations Technologies борются за долю рынка.

Стеклянные подложки-носители BOE для передовой полупроводниковой компоновки прошли верификацию концепции у ряда отечественных клиентов и перешли к техническому тестированию.

Onsemi и Synaptics объединяются, чтобы создать комплексные платформы для робототехники и приложений физического ИИ. Сделка на $7 млрд укрепит позиции onsemi в области вычислений и связи.

OpenAI нанимает специалиста для партнерств с производителями полупроводников. После того как компания использовала свои модели для совместной разработки ИИ-чипа Jalapeño с Broadcom, она расширяет фокус на автоматизацию ИИ в чипах.

IBM представила прототип чипа со 100 млрд транзисторов на площади ногтя — вдвое выше плотности технологии 2021 года. Новая архитектура наностека, укладывающая транзисторы вертикально, обещает более быстрые и энергоэффективные компьютеры.

IBM объявила о колоссальном прорыве в исследованиях полупроводников: первая в мире технология чипов с размером менее 1 нанометра, использующая архитектуру «nanostack» для повышения плотности и эффективности.

Цены на WF6 взлетели на 232% г/г после ухода японских производителей, что создало дефицит в 1000 тонн, который китайские производители спешат восполнить.

TSMC, по сообщениям, уведомила клиентов о необходимости готовиться к повышению цен на 5–10% на передовых узлах, распространив его за пределы 3 нм на 7 нм и некоторые устаревшие техпроцессы.