DIGINEWS

Новости: tsv

Крах HBM-памяти CXMT: выход годных чипов упал до 25%, 80 из 100 модулей HBM3 проваливают финальные тесты

CXMT столкнулась с проблемами производства чипов HBM: выход годных — 25%. Узнайте о сложностях с TSV и укладкой слоев памяти, влияющих на поставки для ИИ-центров.

Cxmt Hbm Tsv Dram память ии wccftech.com
Железо
09.09.2026
Ramish Zafar

CXMT, DRAM, HBM, tsv, wccftech.com, ИИ, память

Синопсис валидирует PHY PCIe 6.0 внутри 3D-стека с соединением лицом к лицу на скорости 64 ГТ/с

Узнайте о результатах первого 3D-тестового чипа PCIe 6.0 от Synopsys на 5-нм техпроцессе с лицевой стыковкой кристаллов. Оцените скорость 64 GT/s на линию, технологию PAM4 и преодоление ограничений 3D-компоновки. Подробности — в статье.

Pcie 6.0 3d-чип Synopsys Phy Pam4 Tsv tomshardware.com
Новости цифры
20.08.2026
Luke James

3d-чип, pam4, pcie 6.0, phy, Synopsys, tomshardware.com, tsv

Китайские разработчики ИИ-чипов переходят на 3D-стекинг для преодоления технологических барьеров

Китайские компании ИИ-чипов переходят на 3D-стекинг как альтернативу техпроцессам из-за ограничений масштабирования и санкций. Технология решает проблему «стены памяти» и повышает плотность вычислений.

ии-чипы 3d-стекинг полупроводники техпроцесс Tsv Dram pandaily.com
ИИ
01.07.2026
Pandaily

3d-стекинг, DRAM, pandaily.com, tsv, ии-чипы, полупроводники, техпроцесс

Аналитик раскрыл истинную цель партнерства Qualcomm и китайской CXMT: создание 3D DRAM NPU для революции в смартфонах к 2027 году

Аналитик Минг-Чи Куо сообщил о сотрудничестве Qualcomm, CXMT и GigaDevice в разработке автономного NPU с 3D DRAM (4 ГБ) для ИИ-задач. Решение обеспечит пропускную способность выше LPDDR5X благодаря TSV и Hybrid Bonding, достигая 40 TOPS. — wccftech.com

Qualcomm Npu 3d Dram Tsv ии Cxmt wccftech.com
Гаджеты
14.04.2026
Omar Sohail

3d dram, CXMT, NPU, Qualcomm, tsv, wccftech.com, ИИ