Новости: 3d dram

Samsung преодолела барьер 10-нм DRAM: новая ячейка 4F повышает плотность памяти на 50%

Samsung выпустила первый в мире модуль DRAM с техпроцессом ниже 10 нм (10a). Новая технология увеличит плотность и использует материалы IGZO. Конкуренты ждут 3D DRAM. — wccftech.com

Samsung Dram техпроцесс 10 нм 3d Dram Igzo wccftech.com

Железо

26.04.2026

Hassan Mujtaba

10 нм, 3d dram, DRAM, igzo, Samsung, wccftech.com, техпроцесс

Аналитик раскрыл истинную цель партнерства Qualcomm и китайской CXMT: создание 3D DRAM NPU для революции в смартфонах к 2027 году

Аналитик Минг-Чи Куо сообщил о сотрудничестве Qualcomm, CXMT и GigaDevice в разработке автономного NPU с 3D DRAM (4 ГБ) для ИИ-задач. Решение обеспечит пропускную способность выше LPDDR5X благодаря TSV и Hybrid Bonding, достигая 40 TOPS. — wccftech.com

Qualcomm Npu 3d Dram Tsv ии Cxmt wccftech.com

Гаджеты

14.04.2026

Omar Sohail

3d dram, CXMT, NPU, Qualcomm, tsv, wccftech.com, ИИ

Искать на сайте

Новости: 3d dram

Samsung преодолела барьер 10-нм DRAM: новая ячейка 4F повышает плотность памяти на 50%

Аналитик раскрыл истинную цель партнерства Qualcomm и китайской CXMT: создание 3D DRAM NPU для революции в смартфонах к 2027 году

Самое просматриваемое: