DIGINEWS

Новости: 3d dram

AMD заявляет, что гибридно-соединенная 3D DRAM в 17 раз энергоэффективнее, чем стек HBM на микробумпах, но тепловые барьеры блокируют коммерциализацию

AMD подтвердила: 3D DRAM с hybrid bonding в 17 раз энергоэффективнее HBM. Индустрия переключается на SRAM, PIM, CXL и 3D DRAM из-за ограничений HBM. Узнайте о ключевых технологиях (TSV, microbumps, hybrid bonding) и проблемах термостойкости, которые решает d-Matrix.

3d Dram Hbm Amd Hybrid Bonding энергоэффективность полупроводники wccftech.com
Железо
01.09.2026
Rohail Saleem

3d dram, AMD, HBM, hybrid bonding, wccftech.com, полупроводники, Энергоэффективность

Глава Apacer предупреждает, что поставки товарной памяти «DRAM» сократятся на 70% в 2027 году, вторя апокалиптическому прогнозу главы SK hynix.

Глава Apacer прогнозирует 70-процентный обвал поставок commodity DRAM в 2027 году из-за захвата мощностей HBM. Узнайте, почему SK hynix называет следующий год худшим в истории отрасли и как планы Samsung, SK hynix и CXMT повлияют на рынок памяти.

Dram Hbm дефицит Apacer Sk Hynix 3d Dram wccftech.com
Железо
29.07.2026
Rohail Saleem

3d dram, apacer, DRAM, HBM, SK hynix, wccftech.com, дефицит

CXMT получает приоритет на партию новых китайских «DUV»-литографов, сводя на нет действие «MATCH Act» и усиливая свою крупную ставку на «3D DRAM»

После рекордного IPO CXMT получит первые серийные DUV-машины китайского производства. Узнайте, как 5 установок в 2025 году и 20 в 2026-м ускорят выпуск 3D DRAM и обойдут санкции США.

Cxmt Duv литография Ipo 3d Dram китай wccftech.com
Железо
27.07.2026
Rohail Saleem

3d dram, CXMT, duv, IPO, wccftech.com, Китай, литография

ИИ на устройстве в смартфонах — наглая ложь из-за ограничений компоновки и DRAM, но новейший архитектурный прорыв SK hynix может это изменить

Узнайте, как SK hynix решает проблему ограничений памяти для on-device AI на смартфонах с помощью 3D-stacked DRAM-on-logic архитектуры. Компания нанимает инженеров и, вероятно, сотрудничает с Apple. Читайте о прорыве в упаковке чипов и конкуренции с Qualcomm, Samsung и Huawei.

Sk Hynix 3d Dram on-Device Ai смартфоны упаковка память wccftech.com
Гаджеты
24.07.2026
Omar Sohail

3d dram, on-device ai, SK hynix, wccftech.com, память, Смартфоны, упаковка

Китай разрабатывает свой первый 3.5D «Infinity Chiplet» и технологию 3D DRAM, преодолевая внешние ограничения HBM за счёт внутренней цепочки поставок ИИ.

Познакомьтесь с первым китайским ИИ-ускорителем DF1000 на 3D DRAM от DFSX. Архитектура Infinity Chiplet 3.5D и 14-нм техпроцесс обеспечивают 520 TFLOPs. Узнайте о производительности, дорожной карте до DF3000 и импортозамещении HBM.

Dfsx Df1000 3d Dram ии-ускоритель китай чиплеты wccftech.com
Железо
15.07.2026
Hassan Mujtaba

3d dram, df1000, dfsx, wccftech.com, ии-ускоритель, Китай, чиплеты

Samsung преодолела барьер 10-нм DRAM: новая ячейка 4F повышает плотность памяти на 50%

Samsung выпустила первый в мире модуль DRAM с техпроцессом ниже 10 нм (10a). Новая технология увеличит плотность и использует материалы IGZO. Конкуренты ждут 3D DRAM. — wccftech.com

Samsung Dram техпроцесс 10 нм 3d Dram Igzo wccftech.com
Железо
26.04.2026
Hassan Mujtaba

10 нм, 3d dram, DRAM, igzo, Samsung, wccftech.com, техпроцесс

Аналитик раскрыл истинную цель партнерства Qualcomm и китайской CXMT: создание 3D DRAM NPU для революции в смартфонах к 2027 году

Аналитик Минг-Чи Куо сообщил о сотрудничестве Qualcomm, CXMT и GigaDevice в разработке автономного NPU с 3D DRAM (4 ГБ) для ИИ-задач. Решение обеспечит пропускную способность выше LPDDR5X благодаря TSV и Hybrid Bonding, достигая 40 TOPS. — wccftech.com

Qualcomm Npu 3d Dram Tsv ии Cxmt wccftech.com
Гаджеты
14.04.2026
Omar Sohail

3d dram, CXMT, NPU, Qualcomm, tsv, wccftech.com, ИИ