DIGINEWS

Новости: закон мура

Прорыв в области «монолитной 3D-интеграции» может изменить будущее полупроводников

Исследователи Иллинойсского университета под руководством профессора Цао Цин продемонстрировали метод монолитной 3D-интеграции, укладывающий слои транзисторов при низких температурах с почти идеальным выходом, при поддержке IBM, Intel и TSMC. — pandaily.com

3d-интеграция полупроводники закон мура транзисторы Uiuc Tsmc pandaily.com
Железо
09.06.2026
Pandaily

3d-интеграция, pandaily.com, TSMC, uiuc, закон мура, полупроводники, транзисторы

Техпроцесс менее 1 нм появится не раньше 2034 года: дорожная карта логических микросхем обещает 2D FET для узлов 0,2 нм и меньше к 2043–2046 годам

Закон Мура замедлился, но прогресс в разработке логики продолжается: новая дорожная карта указывает на техпроцессы ниже 1 нм примерно к 2034 году. До перехода техпроцессов на уровень ниже 1 нм пройдут годы, но они уже в разработке: 0,7 нм к 2034 году и <0,2 нм к 2046 году. Технологии техпроцессов замедлились по мере нашего перехода в эру Ангстрема. Хотя новые узлы продолжают обеспечивать прирост производительности, их производство становится все дороже,…

закон мура техпроцессы Imec чиплеты Cfet Beol wccftech.com
Железо
02.05.2026
Hassan Mujtaba

beol, cfet, imec, wccftech.com, закон мура, техпроцессы, чиплеты