Сага, связанная с предполагаемой кражей коммерческих тайн Samsung китайским производителем DRAM CXMT, набирает обороты. Южнокорейское судебное разбирательство уже привело к нескольким обвинительным приговорам, два из которых предусматривают тюремное заключение для бывших инженеров Samsung. Однако последняя глава оказалась особенно захватывающей. Корейское издание *NoCut News* раскрыло подробности проекта “Hefei” — предполагаемого плана развития CXMT, описывающего долгосрочное планирование “приобретения” технологий, переманивания персонала и вывода продукции на рынок. Все это ключевые элементы, которые, возможно, напрямую способствовали тому, что CXMT заняла 10% мирового рынка DRAM.
Согласно утечкам судебных документов, обвинение утверждает, что проект “Hefei” был полным планом разработки DRAM для CXMT и возглавлялся руководителем отдела разработок компании (ранее — руководителем отдела разработки DRAM в Samsung) примерно в августе 2016 года, вскоре после создания самой CXMT в июне 2016 года.
Вкратце, предполагаемый план заключался в получении плана производственных рецептов (PRP) Samsung к сентябрю 2016 года, переманивании ключевых инженеров Samsung к октябрю 2016 года, завершении НИОКР к июлю 2017 года и начале производства пластин DRAM к августу 2018 года со скоростью 10 000 в месяц. *NoCut* сообщает, что набор данных PRP включает 620 этапов производства DRAM и содержит информацию об оборудовании, расходных материалах и методах производства.
В отчете говорится, что в августе 2016 года CXMT впервые попыталась изготовить пластины 18-нм чипов, полагаясь на коллективную память нанятых инженеров Samsung. Эти воспоминания оказались недостаточными, поэтому, предположительно получив незаконный доступ к PRP Samsung, CXMT подготовила собственный документ в сентябре 2016 года. Утекшие данные даже включали конкретных поставщиков оборудования и номера моделей.
“Новый” PRP от CXMT затем был распространен среди ключевых специалистов, многие из которых были бывшими инженерами Samsung, которые, по словам обвинения, должны были немедленно распознать, что данные происходят от корейской фирмы. Документ, по-видимому, содержал обозначения и заметки о разработках процессов, которые были уникальны для Samsung. Осужденный бывший исследователь Samsung по фамилии Чон, ранее приговоренный к 7 годам тюремного заключения за ручное копирование частей PRP перед переходом в CXMT, свидетельствовал по этому делу в качестве свидетеля.
Вся эта история с CXMT разворачивается в южнокорейских судах с января 2024 года и, возможно, гораздо масштабнее, чем просто “компания украла какие-то технологии у другой”. Десять лет назад большая часть рынка DRAM принадлежала “Большой тройке”: Samsung, Micron и SK hynix. CXMT была создана в июне 2016 года в Хэфэе (отсюда и название проекта) с государственными инвестициями в размере около 1,9 миллиарда долларов США, предположительно, без каких-либо научно-исследовательских мощностей или планов исследований.
Переход от отсутствия мощностей и институциональной экспертизы к производству пластин DRAM чуть более чем за два года был бы беспрецедентным достижением и, предположительно, практически невозможным без предполагаемой кражи интеллектуальной собственности; создание одного только завода по производству памяти обычно занимает от двух до четырех лет, не говоря уже о времени на исследования. В 2019 году компания заявила, что разработала свои тогдашние новые чипы 8 Гбит DDR4 полностью собственными силами как “прорывную, независимую” технологию и начала продавать DRAM-чипы на местном рынке.
Затем наступил бум ИИ, и спрос на чипы взлетел до небес. Этот спрос привел к взрывному росту CXMT: с предполагаемых 4% мирового рынка DRAM во втором квартале 2025 года до примерно 10% во втором квартале 2016 года, что стало первым случаем за более чем десятилетие, когда “Большая тройка” занимала менее 90% рынка.
Производственные мощности были расширены до трех 12-дюймовых фабрик по производству пластин, которые, как ожидается, произведут в общей сложности 350 000 пластин до конца года — почти столько же, сколько производит Micron (от 375 000 до 385 000). CXMT также планирует открыть второй завод в Пекине, намереваясь производить более 600 000 пластин в месяц после его запуска.
Более того, успехи CXMT обусловлены не только долей на рынке DRAM. Выручка выросла на 716% только во втором квартале 2026 года, а ее IPO на Шанхайской фондовой бирже STAR Market в июле 2026 года привело к росту акций на 466%, принеся компании чистую прибыль в размере 8,6 миллиарда долларов США и сделав ее самой дорогой компанией-производителем чипов на китайском фондовом рынке.
Около 70% этих денег, по сообщениям, направляется на дальнейшее расширение производства DRAM, а не на более дорогие и сложные HBM. Тем не менее, компания поставила образцы HBM3E компаниям Alibaba T-Head и Cambricon, даже несмотря на то, что Samsung и SK hynix начинают производство HBM4.
По последним данным южнокорейского обвинения на декабрь 2025 года, ущерб Samsung от предполагаемых махинаций CXMT достиг “по меньшей мере десятков триллионов вон”. Грубая экстраполяция, учитывая прошедшее время, может предполагать сумму в диапазоне 40 триллионов вон, или 29,5 миллиарда долларов, и эта сумма продолжает расти экспоненциально.
Однако долгосрочное влияние на рынок памяти и технологии в целом выходит далеко за рамки простых числовых показателей. Учитывая все обстоятельства, если обвинения верны, то махинации CXMT привели к экономическому событию геополитического масштаба. Доктор Зло был бы горд.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Bruno Ferreira
