Похоже, ничто не сравнится с яростью отвергнутого чипа commodity DRAM. Пока HBM продолжает захватывать пластины DDR, поставки DRAM могут рухнуть на целых 70% в 2027 году, по словам генерального директора Apacer, что перекликается с недавними заявлениями главы SK hynix.
Глава Apacer ожидает, что поставки commodity DRAM рухнут в 2027 году, повторяя заявления главы SK hynix, который считает, что «следующий год станет худшим в истории отрасли с точки зрения предложения»
По словам генерального директора Apacer Си Кей Чана, производители DRAM могут выпустить лишь 30% от объёмов 2026 года в следующем году, что приведёт к 70-процентному годовому дефициту предложения.
Это перекликается с недавними комментариями генерального директора SK hynix Квак Но-джуна, который спрогнозировал, что впереди ждут ещё более трудные времена даже после наблюдавшихся до сих пор потрясений на рынке памяти, и предположил, что 2027 год «станет худшим в истории отрасли с точки зрения предложения».
Обратите внимание: недавний отчёт Business Times показал, что поставки пластин для памяти вырастут примерно на 12% в год в 2027–2028 годах, но около половины этого объёма будет потреблено HBM.
Таким образом, Samsung поставит около 12 миллиардов ГБ HBM в 2026 году, нарастив объём до 20 миллиардов ГБ в 2027 году. Между тем SK hynix поставит 18 миллиардов ГБ HBM в 2026 году и 24 миллиарда ГБ в 2027 году.
Следовательно, рост битового объёма non-HBM DRAM будет ограничен 15% в год в 2027–2028 годах, при этом ожидается, что спрос вырастет на 22%.
Для количественной оценки роста мощностей: Fab 1 компании Samsung на площадке P5 начнёт работу к июлю 2027 года, а Fab 2 и ещё одно предприятие в Йонгине начнут производство к 2029 году. У SK hynix фабрика Y1 в Йонгине заработает в феврале 2027 года, а Y2 — во втором полугодии 2028 года.
Тем временем SK hynix отметила в ходе своего недавнего отчёта о прибылях:
«Мы ожидаем, что спрос на память в целом будет продолжать расти не только на HBM для ИИ и вычислений, но и на серверную DRAM для поддержки Agentic AI, а также на высокопроизводительную NAND большой ёмкости для расширения ИИ-сервисов и роста объёмов данных».
Возможно, единственной реальной передышкой для индустрии потребительской электроники станет коммерциализация CXMT своей технологии 3D DRAM, где ячейки памяти располагаются вертикально для увеличения ёмкости, вместо того чтобы концентрироваться на травлении всё более мелких горизонтальных элементов с помощью EUV-машин. Такой подход максимизирует сырую битовую плотность и ёмкость хранения без уменьшения горизонтальных узлов.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Rohail Saleem
