Новости: HBM

SK Hynix использует Intel EMIB и гибридное соединение для HBM4 и 3D-стекинга. Узнайте, как компания решает проблемы тепловыделения и масштабирования, внедряя технологии I-HBM и MR-MUF для увеличения пропускной способности до 2 ТБ/с.

Ознакомьтесь с трёхфазной дорожной картой Samsung по эволюции HBM. Узнайте, как передовые логические процессы и 3D-интеграция ZHBM превращают базовый кристалл в интеллектуального партнёра для ИИ, повышая пропускную способность и энергоэффективность.

Сбои памяти HBM стали причиной 17% незапланированных прерываний при обучении Llama 3 от *Meta — так проявляется углубляющаяся «памятная стена». Micron объясняет, почему HBM критически важна для ИИ, как она отличается от DDR и какие тепловые и архитектурные вызовы требуют инноваций для дальнейшего масштабирования производительности ИИ-систем.

Nvidia поднимает цены на серверные системы Grace Blackwell и Vera Rubin более чем на 15% из-за роста стоимости памяти. Узнайте, как «RAMageddon» и дефицит HBM влияют на ИИ-инфраструктуру и что это значит для гиперскейлеров и сборщиков ПК.

NVIDIA, возможно, заключила многолетние контракты с SK hynix и Micron на поставку HBM и DRAM. Узнайте, как дефицит памяти меняет стратегию чипмейкера и почему отрасль переходит на долгосрочные соглашения.

Узнайте, как SK hynix на фоне бума HBM и дефицита памяти согласовал щедрый пакет компенсаций: повышение зарплаты на 6,3%, бонусы акциями с защитой от падения, выплаты тётям и дядям, ремонт столовой и спортзала. Детали программы обратного выкупа и прогнозы Goldman Sachs.

Дефицит DDR4 и SLC NAND усилится: Morgan Stanley прогнозирует рост цен на 50% в Q3 2026. Узнайте, как переток мощностей в HBM и DDR5 влияет на рынок памяти и почему DDR5 дорожает на 483% год к году.

Узнайте, почему TSMC может терять долю рынка CoWoS в пользу Intel. Данные SemiAnalysis Chipbook показывают: экспорт HBM из Кореи идет в Малайзию, а не на Тайвань. Разберитесь, как дефицит корпусирования меняет расстановку сил и что это значит для NVIDIA.

Узнайте, почему Micron выгоднее производить универсальную DRAM, а не HBM: валовая прибыль от DRAM достигает 80%, в то время как HBM приносит лишь 75–78%. Производство HBM сокращает ёмкость DRAM и даёт лишь краткосрочные выгоды. Детали роста поставок и прогнозы UBS до 2029 года.

Плотность памяти BV-NAND V10 на 58% выше, чем у V9, улучшены I/O и энергоэффективность. zHBM размещается поверх AI-чипов, повышая скорость и снижая энергопотребление. Узнайте о других новинках Samsung на FMS 2026.