После исторического IPO, вызвавшего настоящий ажиотаж среди инвесторов, китайская компания CXMT, по всей видимости, вошла в августовский список китайских полупроводниковых игроков, которые должны получить одни из первых серийных установок DUV-литографии отечественного производства в этом году. Это событие, несомненно, ускорит развитие CXMT в области технологий следующего поколения.
Китай планирует выпустить 5 DUV-машин в этом году и 20 в следующем, а CXMT получает ускоренный доступ для своих ставок на технологии нового поколения
По данным The Information, китайская компания, официально именуемая Shanghai Yuliangsheng Technology, начала производство DUV-литографического оборудования, планируя выпустить 5 установок в этом году и 20 — в следующем.
Примечательно, что CXMT должна получить одну из первых партий наряду с SMIC и Hua Hong, что свидетельствует о важности этих компаний для Пекина.
Хотя подробностей пока мало, Yuliangsheng, по-видимому, производит иммерсионные литографические машины с разрешением 28 нм, причем большинство деталей производится внутри страны, хотя некоторые критически важные компоненты импортируются из Японии.
Это развитие событий фактически нейтрализует американский закон MATCH Act, который направлен на то, чтобы помешать китайским компаниям покупать или обслуживать западные DUV-машины.
Для тех, кто не в курсе: глубокая ультрафиолетовая (DUV) литография (с использованием фторида аргона) применяет ультрафиолетовый свет с длиной волны 193 нанометра (нм) для нанесения рисунка на кремниевую пластину. Повторяя эти этапы травления, методы мультипаттернирования на основе DUV позволяют создавать все более сложные схемы.
DTCO (Design Technology Co-Optimization) — это передовая методика, которая оптимизирует проектирование чипов, производственные процессы и управление выходом годных одновременно, а не по отдельности, позволяя добиться размеров элементов, которые иначе были бы возможны только с помощью EUV-литографии.
При совместном использовании DTCO и мультипаттернирования результирующие потоки уменьшают влияние технологических отклонений и ошибок позиционирования краев (EPE) — разницы между вытравленным элементом и его запланированным расположением в схеме чипа, — которые становятся все более критическими по мере агрессивного прогресса DUV-мультипаттернирования.
DUV-машины отечественного производства укрепят устойчивость CXMT и планы по выпуску 3D DRAM нового поколения
Сегодня CXMT вышла на биржу, и к концу торговой сессии рост составил почти 500 процентов! Компания планирует использовать эти новые средства для агрессивного расширения мощностей — до 300 000 пластин в месяц к концу этого года по сравнению с текущими примерно 200 000 пластин в месяц.
Более того, производитель памяти сейчас строит два новых завода в Шанхае и Хэфэе, что увеличит его производственную мощность до 600 000 пластин в месяц. Фактически CXMT уже на пути к тому, чтобы обогнать Micron по объемам производства к 2030 году.
В настоящее время CXMT серийно выпускает DRAM 1a на своем технологическом узле G5. Однако, лишившись доступа к EUV-литографии, CXMT делает ставку на 3D DRAM нового поколения, где ячейки памяти располагаются вертикально для увеличения емкости, а не концентрируется на травлении все более мелких горизонтальных элементов с помощью EUV. Такой подход максимизирует сырую битовую плотность и емкость хранения без уменьшения горизонтальных узлов.
Обратите внимание на следующее:
- CXMT может использовать иммерсионные DUV-системы на фториде аргона (ArF) для травления горизонтальных элементов на нескольких слоях, а затем вертикально объединять их с помощью гибридного соединения.
- Компания разработала собственные структуры 3D DRAM-ячеек, включая вертикальную управляющую шину Gate-All-Around (GAA) в сочетании с горизонтальными конденсаторами и битовыми линиями, что значительно снижает помехи типа row‑hammer.
- CXMT уже заключила партнерство с такими компаниями, как Qualcomm и GigaDevice, для создания кастомизированной 3D DRAM для локальных NPU в смартфонах.
- CXMT уже тестирует W2W (Wafer‑to‑Wafer) гибридное соединение для связанной DRAM нового поколения — где ячейки памяти и логические схемы управления чипа изготавливаются на отдельных кремниевых пластинах, а затем соединяются вертикально с помощью передовой упаковки — на пилотной линии в Хэфэе (Китай), с основной целью серийного выпуска высокоплотной памяти.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Rohail Saleem
