Похоже, судьба благосклонна к Intel, особенно учитывая, что ее многолетние стратегические изменения наконец-то начинают приносить финансовые дивиденды. Об этом свидетельствует быстрое расширение мощностей EMIB-T у производителя чипов, а также его значительное преимущество перед Samsung и TSMC в области технологии EUV высокого числового апертуры (high-NA EUV).
UBS теперь считает, что Intel сможет легко удовлетворить растущий спрос MediaTek на передовую упаковку EMIB-T для TPU, с возможностью упаковки более 2 миллионов подложек к 2028 году
По мнению UBS, вся отрасль становится все более оптимистичной в отношении EMIB-T от Intel, особенно в связи с ее стратегией реализации и выходами на передовом решении для упаковки. Таким образом, UBS полагает, что EMIB-T сможет поддерживать более 2 миллионов подложек в 2028 году для удовлетворения потребностей MediaTek. Стоит отметить, что MediaTek является основным стратегическим партнером Google по проектированию и разработке для серии ИИ-чипов TPU v9 следующего поколения, включая 2-нанометровый “Humufish” и его обновленный вариант “Triggerfish”.
Для тех, кто может быть не в курсе, EMIB от Intel соединяет несколько кремниевых чипов (чиплетов) внутри одного процессорного корпуса с помощью крошечных кремниевых «мостов», встроенных непосредственно в органическую подложку, с микровыводами высокой плотности, расположенными только по краям, где чиплеты соединяются с мостом.
EMIB-T идет еще дальше, оснащаясь сквозными кремниевыми переходными отверстиями (TSV), просверленными непосредственно через встроенные кремниевые мосты. Эти вертикальные каналы маршрутизации позволяют питанию и высокоскоростным сигналам проходить прямо снизу корпуса чипа, через мост, и непосредственно в процессоры или память, расположенные сверху, что обеспечивает 3D-стекирование.
Напомним, что подложка, используемая в EMIB-T от Intel, состоит из:
- Базовой органической панели с прецизионно просверленными полостями, куда помещаются кремниевые мосты, и которая производится компаниями Ibiden (основной поставщик), Shinko, Unimicron и AT&S.
- Диэлектрического слоя, представляющего собой изоляционные слои, ламинированные непосредственно поверх встроенных мостов, с использованием стандартной для отрасли пленки Ajinomoto Build-up Film (ABF).
- Самих кремниевых мостов, содержащих сквозные кремниевые переходные отверстия (TSV) для вертикальной маршрутизации питания.
Стоит отметить, что EMIB-T от Intel примерно на 50 процентов дешевле, чем CoWoS от TSMC. Конечно, TSMC делает ставку на панельную упаковку CoPoS следующего поколения, чтобы сохранить свое преимущество.
Тем временем, пока Samsung и TSMC завершают разработку планов по внедрению литографии EUV высокого числового апертуры (high-NA EUV) в свои рабочие процессы, Intel только что произвела свою миллионную тестовую пластину с использованием этой технологии, что указывает на ее опережение текущих отраслевых стандартов на 2-4 года. Следует отметить, что high-NA EUV удваивает поле экспозиции, сокращая максимальный размер кристалла за один проход вдвое, что позволяет производителям чипов печатать значительно меньшие элементы за один проход. Это также устраняет необходимость полагаться на мультипаттернинг для геометрий ниже 3-нанометрового узла.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Rohail Saleem
