Новости: DRAM

Apple тестирует чипы памяти DRAM от китайской государственной компании ChangXin Memory Technologies (CXMT), согласно новому отчету Financial Times. На прошлой неделе стало известно, что Apple вела переговоры с CXMT и YMTC о закупке памяти, но сделка не была финализирована.

Постоянный дефицит памяти затрагивает старые стандарты DRAM, цены растут на DDR4 и DDR3. Цепочка поставок ожидает значительного роста цен на DRAM и флэш-память, так как цены на DDR4/DDR3 могут подскочить более чем на 50% в III квартале. Первоначальные оценки оказались заниженными.

Apple начала тестирование DRAM от CXMT для устройств, предназначенных для продажи в Китае. Тем временем CXMT находится под санкциями правительства США.

В крупном развитии событий Apple начала тестирование DRAM от CXMT, что указывает на возможное включение китайского производителя в продуктовую линейку. Это происходит на фоне лоббистских усилий Apple в Вашингтоне по смягчению отношения к китайской памяти.

Рост цен на компоненты сильно скажется на бюджетных смартфонах. Новый отчет объясняет, что именно происходит.

Консенсус брокеров оценивает операционную прибыль Samsung за весь 2026 год почти в 300 триллионов вон. Samsung прогнозирует рекордную прибыль от полупроводников благодаря спросу на ИИ.

Неудивительно, что Samsung извлекает весьма значительную выгоду из рекордно высоких цен на чипы DRAM, высокоскоростной памяти и флеш-памяти NAND. Согласно опубликованным компанией прогнозным показателям прибыли за второй квартал…

Патент Intel XBM предлагает альтернативу HBM, использующую DRAM с транзисторами на задней стороне, чиплетные соединения UCIe и логику ремонта для снижения затрат и сложности упаковки.

ADATA предупредила о новом росте цен на DRAM и NAND в III квартале 2026 года. На фоне высокого спроса со стороны ИИ, который вывел доходы компании на рекордный уровень, анонсированы повышения цен на память и накопители. Аналитики и другие техгиганты также прогнозируют удорожание компонентов.

Intel опубликовала патент на новую память XBM, которая позиционируется как замена HBM4 с более высокой пропускной способностью. Новое решение DRAM от Intel достигает 32 ГТ/с за счет каналов UCIe, стремясь решить проблемы HBM.