Новости: NAND
Контроллер PCIe 6.0 от Silicon Motion выйдет в следующем году, но ИИ-дата-центры могут поглотить 80% NAND к 2027 году
Ситуация на рынке накопителей ухудшается. Silicon Motion готовит PCIe 6.0 SSD контроллер, но растущий спрос со стороны ИИ-ЦОД может удержать цены высокими дольше 2027 года. Дефицит NAND усугубляется. — wccftech.com

«Рынок розничных SSD практически исчез», — заявляет топ-менеджер Silicon Motion
Вице-президент Silicon Motion по клиентским решениям для хранения данных предупреждает, что розничный рынок SSD практически исчез, поскольку производители NAND отдают приоритет поставкам памяти в дата-центры ИИ. — tomshardware.com

Взлет цен на память заставляет производителей смартфонов урезать характеристики бюджетных моделей
Резкий рост цен на DRAM и NAND вынуждает производителей смартфонов возвращать базовые модели с 12 ГБ ОЗУ к 6 ГБ, а Лэй Цзюнь из Xiaomi предупреждает, что ценовой ралли может продлиться еще два года. — pandaily.com

SK Hynix представила память HBM4E на Computex: 48 ГБ в 12-слойной сборке и рекордная пропускная способность 4 ТБ/с
Гонка HBM набирает обороты: SK Hynix представляет HBM4E с увеличением плотности на 33% и пропускной способностью на 38%, нацеливаясь на 4 ТБ/с для чипов ИИ. NVIDIA и AMD будут использовать HBM4 в Rubin и MI400. Также показаны stacked NAND и 96 ГБ LPCAMM2. — wccftech.com

Выручка от NAND взлетела в 3,5 раза до рекордных 46 млрд долларов за квартал, пока «Agentic AI» обескровливает рынок ПК
Бум ИИ вызвал рекордную выручку в сегменте NAND (рост в 3,5 раза до $46 млрд в I кв. 2026 г.) благодаря центрам обработки данных. Китайская CXMT наращивает долю до 13%. Однако рынок ПК падает на 11,3% из-за цен на компоненты. — wccftech.com

Micron предупреждает: дефицит памяти сохранится после 2026 года из-за того, что спрос на ИИ опережает возможности поставок HBM, DRAM и NAND
Американский гигант Micron прогнозирует, что дефицит памяти HBM, NAND и DRAM сохранится дольше 2026 года. Эти выводы были озвучены JPMorgan после презентации Micron на конференции TMC. Компания ожидает, что спрос ИИ будет поддерживать дефицит. — wccftech.com

DRAM, HBM, Micron, NAND, wccftech.com, дефицит памяти, ИИ
Samsung совершает прорыв к 1000-слойной NAND: представлен первый 900-слойный прототип V-NAND из двух стеков по 450 слоев
Samsung приближается к технологии V-NAND с 1000 слоями, представив первый прототип с 900 слоями, объединяющий две 450-слойные ячейки. Компания готовится к конкуренции, стремясь к новым рубежам в полупроводниках памяти. — wccftech.com

Samsung капитулирует за час до начала 18-дневной забастовки: 12% прибыли и «скромность» после пяти месяцев тупика
Похоже, в мире Samsung снова всё в порядке: пресловутый дамоклов меч, висевший над глобальной индустрией памяти в виде парализующей 18-дневной забастовки, снова убран в ножны, поскольку все взгляды теперь устремлены на предстоящее голосование по ратификации соглашения. Руководство Samsung и представители профсоюза достигли предварительного соглашения, разрешающего спор о бонусах, который длился более 5 месяцев. — wccftech.com

Самое просматриваемое:
- Вот как использовать новую кнопку “Плюс”…
- Bitcoin Depot оштрафован на $18,5 млн – сталкивается…
- WatchGuard бьёт тревогу: критическая уязвимость…
- Оверклокер обновил утилиту для разгона Hydra —…
- Как настроить ComfyUI для генерации изображений ИИ…
- Результаты еженедельного опроса: Samsung Galaxy Z…
- ECARX берет управление бизнесом Flyme OS в свои руки…
- Intel преодолела рубеж в миллион пластин,…
- США прикрыли платформу для хранения паролей, которой…
- Исследователи из MIT возродили 40-летнюю концепцию…

