Новости: SK hynix
Samsung, SK hynix и Micron стали ответчиками по федеральному коллективному иску в США из-за сговора, устроившего «RAMpocalypse»
Учитывая «чипфляцию», «Большую тройку» — Samsung, SK hynix и Micron — привлекли к суду по обвинению в сговоре и фиксации цен. Новый иск утверждает, что они использовали переход к HBM как предлог для удержания производства DRAM на низком уровне.

На фоне рекордной прибыли от HBM компания SK Hynix переключается на массовое производство «General-Purpose DRAM» стандарта DDR5
SK Hynix планирует вернуться к универсальной DRAM, такой как DDR5, после рекордной выручки от HBM. Компания не спешит с ускорением производства HBM4 и сосредоточится на DDR5 из-за острой нехватки. HBM была драйвером прибыли, но теперь производители возвращаются к GP-DRAM.

Intel нанимает бывшего главу SK hynix Сок-Хи Ли для руководства направлением передовой корпусировки Intel Foundry
Intel назначила Сок-Хи Ли, бывшего главу SK hynix и SK On, исполнительным вице-президентом Intel Foundry, поручив ему разработку и производство технологий бэк-энда, включая передовую компоновку. — tomshardware.com

Бывший гендиректор SK Hynix возвращается в Intel: он возглавит подразделение по производству чипов и передовым технологиям корпусирования
Intel наняла Сок-Хи Ли, бывшего главу SK Hynix, на должность исполнительного вице-президента по передовой упаковке и технологиям бэкенда Intel Foundry. Он усилит системную интеграцию и производство. — wccftech.com

SK Hynix представила образцы HBM4E на 48 ГБ со скоростью 16 Гбит/с: спрос на AI-чипы заставляет производителей DRAM работать на пределе возможностей
SK Hynix начала поставки образцов памяти HBM4E нового поколения со скоростью до 16 Гбит/с и ёмкостью 48 ГБ, соревнуясь с Samsung. Эта память критична для ИИ-решений и ЦОД следующего поколения, таких как NVIDIA Rubin Ultra и AMD Instinct MI500. — wccftech.com

SK Hynix вступает в гонку с Samsung за NAND 400+ слоев, но вынуждена отказаться от вольфрама из-за «материального барьера» в стеке
SK Hynix планирует начать массовое производство 375-слойной NAND Flash к концу 2026 года, предлагая большую емкость. Компания также работает над 480/604-слойными решениями. В гонке с Samsung, Hynix переходит на молибден для улучшения характеристик. — wccftech.com

Самое просматриваемое:
- Вот как использовать новую кнопку “Плюс”…
- Bitcoin Depot оштрафован на $18,5 млн – сталкивается…
- WatchGuard бьёт тревогу: критическая уязвимость…
- Как настроить ComfyUI для генерации изображений ИИ…
- ECARX берет управление бизнесом Flyme OS в свои руки…
- Результаты еженедельного опроса: Samsung Galaxy Z…
- США прикрыли платформу для хранения паролей, которой…
- Исследователи из MIT возродили 40-летнюю концепцию…
- Представитель сервисного центра Google сообщил…
- Тим Суини из Epic: «нечестность» и «грубое…



