Новости: HBM4

Рынки HBM меняют динамику после валидации HBM4. Micron сталкивается с проблемами, что дает Samsung возможность захватить долю рынка. Корейские производители памяти SK hynix и Samsung получат преимущество с выходом Vera Rubin и Instinct MI400. — wccftech.com

NVIDIA гонится за DRAM для ИИ-ускорителей, но ее преимущество — связи с корейскими гигантами. Глава NVIDIA Дженсен Хуанг встретился с председателем SK за ужином, обсуждая SOCAMM и HBM4. Дефицит DRAM и роль HBM в ИИ. Хуанг раскрыл ранние LTA как причину устойчивости к нехватке памяти. — wccftech.com

Samsung отчиталась о рекордных финансовых результатах за 4 квартал 2025 года благодаря буму на рынке памяти. Прибыль подразделения полупроводников выросла в 5,6 раза. Компания готовится к массовому производству HBM4 для NVIDIA, но ожидает снижения маржинальности в мобильном сегменте, рассматривая повышение цен на Galaxy S26.

Samsung готовится к прорыву на рынке памяти: модули HBM4 с самой высокой скоростью вывода данных (11 Гбит/с+) выбраны для интеграции в новую ИИ-линейку NVIDIA Vera Rubin. Поставки ожидаются уже в июне.

NVIDIA форсирует гонку ИИ-ускорителей: платформа Vera Rubin получает существенный прирост пропускной способности памяти до 22,2 ТБ/с за счет агрессивного внедрения HBM4. Это ответ на конкуренцию со стороны AMD MI455X.

Nvidia увеличила TDP своего флагманского процессора Rubin для ИИ-дата-центров до 2,3 кВт (+500 Вт) для повышения тактовых частот и пропускной способности памяти до 22,2 ТБ/с, стремясь обойти конкурентов, таких как AMD, и обеспечить лучшую производительность на уровне стоек.

SK Hynix представила на выставке CES 48-гигабайтный модуль памяти HBM4 с 2048-битным интерфейсом, способный работать на скорости до 10 ГТ/с, что на 25% быстрее стандарта JEDEC. Демонстрация подчеркнула возможности новой технологии формовки MR-MUF и более высокую плотность контактов.

SK hynix представила передовые решения памяти для ИИ: HBM4 48 ГБ, SOCAMM2 и LPDDR6. Компания демонстрирует инновации для AI-серверов и устройств, включая 321-слойную NAND флэш-память и кастомизированные решения HBM для оптимизации производительности и энергоэффективности.

Samsung готовится обогнать SK hynix на рынке HBM к 2027 году благодаря HBM4! Компания вернула доверие клиентов, заключив важные сделки, в частности, с NVIDIA. Узнайте, как Samsung планирует доминировать в сфере памяти для ИИ.

JEDEC завершает разработку стандарта SPHBM4, обеспечивающего пропускную способность HBM4 через 512-битный интерфейс с сериализацией 4:1. Технология позволяет использовать стандартные кристаллы HBM DRAM и базовые кристаллы, а также 2.5D интеграцию на органических подложках, поддерживая до 64 ГБ на стек и большее количество стеков, чем HBM4/HBM4E.