Если High Bandwidth Flash (HBF) окажется коммерчески успешным, это, вероятно, исключит более дешевые SSD в обозримом будущем, особенно учитывая, что HBF предположительно будет стоить всего одну десятую от стоимости сопоставимого стека HBM4, что приведет к увеличению спроса, обусловленному парадоксом Джевонса.
Стек HBF высотой 8 слоев будет стоить 0,64 доллара за ГБ против 6,78 доллара за ГБ для стека HBM4 высотой 8 слоев
Для тех, кто, возможно, не знает: подобно тому, как HBM укладывает стеки DRAM, HBF укладывает кристаллы NAND друг на друга, используя сквозные кремниевые соединения (TSV) для их связи и логический кристалл контроллера, присоединенный к этому массиву NAND.
Однако проблема с использованием ячеек NAND заключается в их черепашьей скорости. SRAM предлагает скорость чтения всего около наносекунды против ~100 наносекунд для DRAM и огромных ~100 микросекунд для NAND. Это означает, что NAND предлагает скорость чтения в 1000 раз медленнее, чем HBM на основе DRAM.
HBF, однако, использует мощь параллелизма для увеличения пропускной способности на порядки. По сути, логический кристалл одновременно планирует тысячи параллельных чтений ячеек NAND. Таким образом, хотя каждое отдельное чтение данной ячейки NAND происходит примерно в 1000 раз медленнее, тысячи параллельных чтений могут обеспечить совокупную пропускную способность от 0,3 ТБ/с до 3 ТБ/с.
Тем не менее, HBF не может компенсировать ужасную скорость записи NAND и связанную с этим низкую выносливость при записи. В любом случае, SanDisk в настоящее время разрабатывает стандарт HBF совместно с SK hynix, который предложит 512 ГБ хранилища с пропускной способностью от 0,4 ТБ/с до 3 ТБ/с, а коммерческий запуск ожидается к 2028/2029 году.
Это подводит нас к сути сегодняшней темы. Аналитики Bernstein теперь подсчитали, что типичный стек HBF высотой 8 слоев будет стоить всего 0,64 доллара за ГБ, что примерно в десять раз меньше стоимости сопоставимого стека HBM4, цена которого составляет около 6,78 доллара за ГБ.
Учитывая эту существенную разницу в стоимости, HBF может вытеснить HBM в нескольких сценариях использования, таких как хранение весов моделей или при работе с общим префиксным KV-кэшированием — когда тысячи различных пользовательских запросов часто обращаются к одному и тому же массивному системному промпту, кодовой базе или многостраничной документации; KV-кэш для этих фундаментальных “префиксных” данных вычисляется один раз и затем записывается постоянно в HBF.
Однако каждый стек HBF высотой 8 слоев использует в 6,5 раз больше пластин, чем типичный TLC NAND, что, вероятно, сократит доступное предложение пластин NAND после выхода HBF на коммерческую стадию, исключив более дешевые SSD.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Rohail Saleem
