Новости: euv

Китай отстает от ASML в EUV-технологиях на 10 лет. Узнайте, когда Китай сможет догнать ASML в DUV-литографии и почему он продолжит зависеть от нидерландской компании.

Изучите, как китайские стартапы и университеты формируют матрицу EUV-источников и метрологии для контроля на длине волны 13,5 нм — от плазменных до ускорительных и HHG-технологий, преодолевая зависимость от иностранных поставщиков.

Zeiss SMT расширяет производство в Оберкохене на 25 000 кв. м — узнайте, как это снимет ограничение мощностей ASML и повлияет на выпуск EUV-сканеров в 2027–2028 годах.

Узнайте, почему глава Zeiss считает, что Китай застрянет на 7 нм без EUV. 5 нм возможны, но с огромными затратами и низким выходом. Читайте о последствиях экспортных ограничений США для китайской полупроводниковой индустрии.

ASML намекает на повышение цен на Low-NA EUV-сканеры из-за роста их производительности. Узнайте, как это ударит по стратегии TSMC, сделавшей ставку на существующие литографические системы, и изменит расклад сил в полупроводниковой индустрии.

ASML намекает на повышение цен на Low-NA EUV-сканеры, несмотря на недовольство TSMC. Узнайте, как планы производителя повлияют на стоимость чипов и стратегию крупнейшего заказчика.

Гигант Intel рассматривает внедрение подачи питания с лицевой и обратной сторон для техпроцесса 1.4A из-за ошибок литографии и необходимости догнать TSMC и Samsung по плотности транзисторов. Уменьшение размера цепей вынуждает Intel перейти на двухстороннюю подачу питания для 1.4A2.

Intel начинает расширение кампуса Bowers в Санта-Кларе для увеличения внутреннего производства фотошаблонов, что станет критически важным по мере усложнения технологических процессов.

Intel Foundry расширяет производственные мощности в Кремниевой долине. CEO Лип-Бу Тан заложил первый камень нового объекта в Санта-Кларе. Расширение Foundry достигло максимума на фоне растущего доверия клиентов к техпроцессам Intel.

Новый техпроцесс IBM класса 0,7 нм использует наностековые транзисторы, требует вдвое больше шагов FEOL для колоссального улучшения производительности, мощности и площади.