Новости: HBM
Micron открывает вакансии для специалистов по HBM в Сеуле, переманивая инженеров Samsung на фоне завершения забастовки
Американский производитель чипов памяти Micron начал активный набор ведущих инженеров по разработке высокоскоростной памяти (HBM) в Южной Корее, предлагая должности с привязкой к Сеулу на рынке, долгое время доминируемом Samsung Electronics и SK hynix. — techtimes.com

Samsung превратит ваш смартфон и планшет в центры «on-device AI» с помощью высокоскоростной памяти и продвинутой упаковки чипов
Samsung разрабатывает технологию HBM с уникальным корпусированием FOWLP и VCS для интеграции сверхбыстрой памяти в смартфоны и планшеты, стремясь превратить их в мощные устройства для локального ИИ, несмотря на проблемы с размером и энергопотреблением. — wccftech.com

DRAM, fowlp, HBM, Samsung, wccftech.com, ИИ, мобильные чипы
Память ZAM от Intel бросает вызов HBM в сфере ИИ: двукратное превосходство в пропускной способности над HBM4, больше емкости и минимум перегрева
Память Z-Angle (ZAM) от Intel приближается к завершению, стремясь занять долю на рынке ИИ и бросить вызов HBM. Новый стандарт предлагает вдвое большую скорость, чем HBM4, и нацелен на высокую плотность и низкое энергопотребление. — wccftech.com

Samsung и SK hynix предупреждают: дефицит памяти для «AI» может затянуться до 2027 года и дольше на фоне взрывного спроса на «HBM»
Samsung и SK hynix предупреждают, что острая нехватка памяти из-за ИИ может продлиться до 2027 года, поскольку взрывной спрос на HBM превышает предложение, ужесточает более широкий рынок DRAM и стимулирует рекордную прибыль. — tomshardware.com

NVIDIA не интересуется памятью HBF, несмотря на превосходство стеков по 4 ТБ над HBM; Google, по слухам, уже в деле, семплирование стартует в этом году
Память HBF (High-Bandwidth Flash) с большей емкостью, чем HBM, не будет использоваться NVIDIA, но Google станет ключевым клиентом. NVIDIA продолжит использовать HBM, а HBF, разрабатываемая SanDisk и SK Hynix, выйдет на рынок образцов позже в этом году. — wccftech.com

3D X-DRAM достигла стадии концепта: замена HBM с десятикратной плотностью по сравнению с обычным DRAM и высокая эффективность производства
Концепция 3D X-DRAM от NEO Semiconductor: память, похожая на NAND, но с функциями DRAM, обещает революцию в плотности для AI, заменяя HBM. Представлены ячейки 1T1C и 3T0C. — wccftech.com

OpenAI увеличит вычислительные мощности ИИ до невероятных 30 ГВт к 2030 году, оставив конкурентов далеко позади
OpenAI нацелена на увеличение вычислительной мощности ИИ до 30 ГВт к 2030 году. Это амбициозная цель после объявления Amazon и Anthropic о 6 ГВт. Спрос на ИИ растет, но сможет ли полупроводниковая индустрия обеспечить чипами и HBM для этого скачка? — wccftech.com

Патент OpenAI раскрыл секрет кастомного AI-чипа: 20 стеков HBM и мосты в стиле Intel EMIB для преодоления пределов производительности
OpenAI опубликовала новый патент, описывающий ИИ-чип с несколькими вычислительными чиплетами и большим количеством стеков памяти HBM. В патенте “Несоседнее соединение чиплетов памяти с высокой пропускной способностью…” раскрываются планы по использованию встроенных логических мостов для высокоскоростных межсоединений, преодолевающих ограничения существующих решений. — wccftech.com

Самое просматриваемое:
- Вот как использовать новую кнопку “Плюс”…
- Bitcoin Depot оштрафован на $18,5 млн – сталкивается…
- WatchGuard бьёт тревогу: критическая уязвимость…
- Как настроить ComfyUI для генерации изображений ИИ…
- ECARX берет управление бизнесом Flyme OS в свои руки…
- Результаты еженедельного опроса: Samsung Galaxy Z…
- Исследователи из MIT возродили 40-летнюю концепцию…
- США прикрыли платформу для хранения паролей, которой…
- Новейший датчик присутствия от Aqara определяет,…
- Представитель сервисного центра Google сообщил…

